КТ920

n-p-n ВЧ-транзисторы

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Транзистор КТ920В

      


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Электрические параметры транзисторов КТ920

      


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Электрические параметры транзисторов КТ920

      


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Предельные эксплуатационные данные транзисторов КТ920

      


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Предельные эксплуатационные данные транзисторов КТ920

      


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Предельные эксплуатационные данные транзисторов КТ920

      


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Предельные эксплуатационные данные транзисторов КТ920

      


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г.

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора

      Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные.

      Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и в автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12, 6 В.


      Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе.

      Масса транзистора не более 4, 5 грамм.